簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果:共1筆資料 檢索策略: "氮化鎵".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="微影製程"


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    氮化鎵元件p型接觸微影製程研發
    • 光電工程研究所 /98/ 碩士
    • 研究生: 謝曜聰 指導教授: 葉秉慧
    • 氮化鎵是製作發光二極體最主要的材料之一,而氮化鎵的直接能隙(3.4eV)與氮化銦直接能隙(0.7eV)所混合的三元化合物氮化銦鎵(InGaN)可做為發光二極體以及太陽能電池元件。 由於p型氮化鎵之功…
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